[Harman] 반도체 설계/Microelectronics (12) 썸네일형 리스트형 Microelectronics - Energy Storage Device : C C, Capacitor. 평행 금속판(극판) 사이에 절연체(유전체)가 위치한 구조로 전하를 충전하는 기능(전기 에너지 저장)을 한다. C, Capacitance 전하를 충전할 수 있는 능력(용량)으로 기호는 C, 단위는 [ F ]를 사용한다. 1Q = 1F · 1V DC section : I = 0 → R = ∞ → Open AC section : 충전 혹은 방전 전류(I)는 전압(V)의 미분 형태를 띠고 있음 $$ i = \frac{dq}{dt} = C\cdot \frac{dv}{dt} \rightarrow v = \frac{1}{C}\int_{0}^{t}idt + K $$ Capacitive Reactance. Capacitor 는 교류 전류의 흐름을 방해하는데, 이를 용량성 리액턴스[ Xc ]라고 .. Microelectronics - Basis Circuit Theory. Value Units Name 10 -18 a Atto- 10 -15 f Femto- 10 -12 p Pico- 10 -9 n Nano- 10 -6 u Micro- 10 -3 m Milli- 10 0 - 10 3 k Kilo- 10 6 M(meg) Mega- 10 9 G Giga- 10 12 T Tera- 전하 (Charge) +, - 전하를 띈 입자 전하량 (Q, Coulomb) 전하가 갖고 있는 전기의 양 단위 : [ C ] 전류 (I, Current) 수압 차에 의한 물의 흐름 단위 시간(1초)당 이동한 전하량 단위 : [ A ] (Ampere, 암페어) I = Q / t 전압 (V, Voltage), 해발 고도 두 지점 간의 전위차 단위 : [ V ] V = W / Q 접지 (GND, Ground.. Microelectronics - MPT : Max Power Transfer. Equivalent Circuits 을 통해 Rth 와 Vth 를 구할 수 있었다. 이 때, 등가저항 Rth 와 부하저항 RL 이 같다면 부하에 최대 전력을 공급할 수 있는 조건이 만족된다. Vth = 10[Vdc], Rth = 100[ohm] 이면 다음과 같은 Schematic 을 그릴 수 있다. 부하저항이 0.1k 일 때, 최대 전력 250mW 가 전달된다. Rth 또한 0.1k 로 Rth 와 RL 이 서로 같으므로 Source 가 Load 에 최대 전력 250mW 를 전달한다는 것 확인할 수 있다. 등가저항 Rth 와 부하저항 RL 이 서로 같을 때, 부하에 공급되는 전력이 최대가 된다. 즉, 전원 측과 부하 측, 양방향의 저항 (임피던스) 이 서로 같은 'Impedance Matching' 이 이.. Microelectronics - Equivalent Circuit. 이전 1 2 다음
