전체 글 (142) 썸네일형 리스트형 Microelectronics - BJT. pull-up, pull-down 저항을 달아주는 이유는 결국 Floating 현상을 방지하기 위함이다. 저항을 통해 High Impedance가 아닌디지털 신호 HIGH, LOW를 정확하게 파악하기 위해서 저항을 사용한다. $$ I_D = \frac{Vcc - (V_F + V_{CE.SAT})}{R_{11}} = \frac{5 - (0.7 + 0.13)}{1k} \simeq 4mA $$ $$ R_D = \frac{Vcc - (V_F + V_{CE.SAT})}{I_D} = \frac{5 - (3.6 + 0.13)}{20m} \simeq 50 \rightarrow 47 $$ $$ I_C = \beta I_B $$ $$ R_{12}\downarrow \; \rightarrow \; I_B\uparrow \;.. Microelectronics - Resonance. $$ v(t) = L\frac{di(t)}{dt}\; \; \; \; \; i(t) = C\frac{dv(t)}{dt} $$ L의 자기 에너지와 C의 전기(정전) 에너지는 서로의 에너지를 주고 받는다. 만약 L과 C의 에너지가 같다면, L과 C는 서로의 에너지를 끊임없이 주고 받으며 무한히 진동하는 공진 현상이 발생하게 된다. $$ I^2Z_L = I^2Z_C\; \; \Rightarrow \; \; Z_L = Z_C $$ 공진 현상이 발생하는 그 순간의 주파수를 공진 주파수라고 한다. 이러한 공진 현상을 이용하여 filter, 발진기 등의 설계에 응용할 수 있다. $$ \Rightarrow \; \; w_oL = \frac{1}{w_oC}\; \; \rightarrow \; \; {w_o}^2 = \f.. Microelectronics - Passive Filter. dB. $$ PdB = 10log_{10}\frac{P_0}{P_i}\;\;\;\;\;\; VdB = 20log_{10}\frac{V_0}{V_i}\;\;\;\;\;\;IdB = 20log_{10}\frac{I_0}{I_i} $$ 배수전력(dB)전압, 전류(dB)1/100-20[dB]-40[dB]1/10-10[dB]-20[dB]1/4-6[dB]-12[dB]1/2-3[dB]-6[dB]1/√2-1.5[dB]-3[dB]10[dB]0[dB]√21.5[dB]3[dB]23[dB]6[dB]46[dB]12[dB]1010[dB]20[dB]10020[dB]40[dB] Laplace Analysis.시간에 대한 함수 f(t)를 s영역의 다른 함수 F(s)로 변환하여 미분방정식의 해를 쉽게 구할 수 있도록 하는 수학 기법. .. Quartus II project - Avalon pwm. PWM : Pulse Width Modulation. Required Register : 8 bit duty, 8 bit div(period) Why 8 Bit? : Computer Architecture 에서 8bit CPU라고 하면 ALU, 레지스터, 데이터 버스 등의 처리 단위가 8비트로 된 CPU를 말한다. Imbedded System 과 같이 특수한 기능만을 수행하는 Computing System 에서는 아직도 단가가 싸고 프로그래밍이 편리한 8bit Micro-Controller 가 많이 사용된다. Avalon Bus Read & Write. Avalon PWM. 하드웨어의 올바른 동작을 확인하기 위해 Modelsim으로 먼저 avalon_pwm module의 시뮬레이션을 진행한다. Test .. Microelectronics - Energy Storage Device : L I, Inductor. 금속 도선을 투자율이 높은 물질(코어)에 감은 형태로 전류를 충전하는 기능을 한다. Electromagnetic Induction Law. 1. 전류[ I ]는 자기장[ H ]을 유도한다. 2. 자기장[ H ]이 일정하면 행복, 자기장[ H ]이 변하면 불행. 3. 만약 자기장[ H ]이 변한다면 방해하는 방향으로 발전(전류 I) 교류에 대해서는 극성이 끊임없이 변하므로 항상 저항(불행)이다. 주파수가 높아질수록 극성은 더 빠르게 변하므로 저항(불행)은 더 커지게 된다. I, Inductance. 자기장을 유도하는 용량으로 기호는 L, 단위는 [ H ]를 사용한다. DC section : V = 0 → R = 0 → short AC section : 충전 혹은 방전 전압(V)은 전.. Microelectronics - Energy Storage Device : C C, Capacitor. 평행 금속판(극판) 사이에 절연체(유전체)가 위치한 구조로 전하를 충전하는 기능(전기 에너지 저장)을 한다. C, Capacitance 전하를 충전할 수 있는 능력(용량)으로 기호는 C, 단위는 [ F ]를 사용한다. 1Q = 1F · 1V DC section : I = 0 → R = ∞ → Open AC section : 충전 혹은 방전 전류(I)는 전압(V)의 미분 형태를 띠고 있음 $$ i = \frac{dq}{dt} = C\cdot \frac{dv}{dt} \rightarrow v = \frac{1}{C}\int_{0}^{t}idt + K $$ Capacitive Reactance. Capacitor 는 교류 전류의 흐름을 방해하는데, 이를 용량성 리액턴스[ Xc ]라고 .. Microelectronics - Basis Circuit Theory. Value Units Name 10 -18 a Atto- 10 -15 f Femto- 10 -12 p Pico- 10 -9 n Nano- 10 -6 u Micro- 10 -3 m Milli- 10 0 - 10 3 k Kilo- 10 6 M(meg) Mega- 10 9 G Giga- 10 12 T Tera- 전하 (Charge) +, - 전하를 띈 입자 전하량 (Q, Coulomb) 전하가 갖고 있는 전기의 양 단위 : [ C ] 전류 (I, Current) 수압 차에 의한 물의 흐름 단위 시간(1초)당 이동한 전하량 단위 : [ A ] (Ampere, 암페어) I = Q / t 전압 (V, Voltage), 해발 고도 두 지점 간의 전위차 단위 : [ V ] V = W / Q 접지 (GND, Ground.. C - pointer. 보호되어 있는 글입니다. 이전 1 2 3 4 5 6 7 ··· 18 다음
