The Intrinsic Carrier Concentration.

진성 반도체의 CB(Conduction band) 내 전자의 농도와 VB(Valence band) 내 정공의 농도가 같고, 각 전자와 정공의 농도를 ni, pi 로 표기할 수 있다. [ ni = pi ] 진성 반도체의 페르미 에너지 레벨을 Intrinsic Fermi energy, 또는 EFi 로 부른다. [ E = EFi ] p0 와 n0 식을 진성 반도체에 적용시키면 다음과 같은 식을 얻을 수 있다. 

 

 

두 식의 곱은 다음과 같다. 

 

 

Eg 는 밴드갭 에너지다. Constant temperature 에서 반도체 물질의 ni 값은 Constant 하고, Fermi Energy 에 무관하다. T = 300K 에서 실리콘의 진성 캐리어 농도는 Table 4.1 의 effective density of states function 을 통해 계산 가능하다. 

 

 

Eg = 1.12eV 에서 4.23 식으로부터 계산된 ni 는, ni = 6.95 x 10^9cm-3 이다. 가장 일반적으로 알려진 Room temperature, T = 300K 에서의 ni 는, ni = 1.5 x 10^10cm-3 이다.